フラッシュメモリ開発20年以上のエンジニアが設立。自動車用途にも対応の高品質不揮発性メモリIPを世界中へ

会社概要

2011年4月、ルネサスエレクトロニクス株式会社で20年以上フラッシュメモリ開発をしてきた7人のエンジニアが、株式会社フローディアを設立。メモリデバイスや回路設計だけでなく、製造プロセスや品質保証に関する深い知識を持った経験豊富なエンジニアが集まり、高品質の不揮発性メモリIPを世界中へ提供している。

当社は、低コスト(Low cost) で容易に組込可能な(Easily Embedded)不揮発性メモリ (Non-Volatile Memory) IPを「LEE Flash NVM IP」の商標で提供している。書き換え回数やメモリサイズの幅広い要求に応えると同時に、自動車用途で求められる高信頼性にも対応。
(LEE Flashはフローディア社IPの登録商標)

業務内容

• 不揮発性メモリの設計、開発、販売、コンサルティング

プロダクト

当社のIPは書き込み・消去のメカニズムとして「FNトンネル電流」を用いるため、書き換え動作が低消費電力となり、またテスト時間においてもメモリ領域全体を一度に書き込み・消去することが可能となるため、テスト時間を短縮することが可能。さらに当社のIPは、すべてのIPにわたって自動車グレード対応の高温動作を保証する。

LEE Flash ZT
・容量1kBまで可能
・100k cyclesまで書き換え可能
・10年@150°Cのデータ保持特性

LEE Flash G1
・容量100kBまで可能
・100k cyclesまで書き換え可能
・10年@85℃のデータ保持特性

LEE Flash G2
・Vddでのリード動作
・MBクラスの容量まで可能
・100k cyclesまで書き換え可能
・10年@85℃のデータ保持特性

テクノロジー

当社のG1及びG2は、SONOS構造を採用しており、他社が採用しているフローティング型不揮発性メモリ構造に比べ多くの利点がある。

The Beauty of SONOS
当社のG1およびG2は、SONOS構造を採用しており、他社が採用しているフローティング型不揮発性メモリ構造に比べて多くの利点がある。

High Speed NV-SRAM
当社のG2は、読み出し動作に高電圧を必要としない非常にユニークな機能を備えており、これは当社だけの技術である。

Quality
1．設計品質管理
2．高信頼性

アプリケーション

当社の不揮発性メモリは、最高品質が要求される分野から低消費電力分野まで幅広いアプリケーションをカバーしている。

IoT
IoTへの応用では、よりスマートなエッジデバイスが求められ、フラッシュテクノロジによる情報のローカル処理と保存が必要になる。当社の革新的な組込みフラッシュIPであるG2は、最少コストで超低消費電力を実現するだけでなく、クイックスタートあるいはノーマリーオフを可能にする機能を備えている。G2の更なる大きな特長は、設計者が標準的なチップ製造プロセスによって、最少コストかつ低電力でニューロンネットワークをチップ上に実現できることである。

• ZT: センサー、アナログおよびミックスドシグナルICのトリミング
• ZT/G2: Bluetooth(BLE)のトリミングおよびプログラムメモリ
• G1/G2: MCU内蔵フラッシュメモリ
• G2: ニューロモルフィック、シナプスネットワーク

車載
ドライバーと乗客の安心・安全を保障するためには、過酷な環境下にあっても最高レベルの品質を持続する耐久性の高い自動車用チップが必要となる。しかし、マルチタイムプログラマブル（MTP）メモリまたは組込み型フラッシュ（eFlash）では、そのニーズに十分に応えられるものが少ないといえる。当社は、その問題に着目し、自動車向けフラッシュIP分野にて最高水準の設計・テスト・製造技術を駆使し、より安全で耐久性の高いフラッシュIPを実現。ZTは、既にAEC-Q100をサポートしており、車載アプリケーション向けに多数採用されている。G1およびG2も、従来SONOSベースのフラッシュデバイスの弱点と考えられていた高温域でのデータ保持の課題を独自技術で克服し、自動車用途もサポートしている。

• ZT: センサー、アナログおよびミックスドシグナルICのトリミング
• G1/G2: MCU内蔵フラッシュメモリ

スマートフォン
モバイル・アプリケーションをサポートするためには、低消費電力が不可欠。すべての当社IPは、非常に低い電圧で書き込みおよび消去を行うことが可能。さらにG2の場合、チップで標準的に使用しているコア電圧による読出し動作をサポートする。ZTおよびG1は、大手主要ブランドのスマートフォンに内蔵されているセンサーやドライバーICに組込まれている。当社のIPによれば、テスト時間とベーキング時間を短縮することで低コストを実現できる。

• ZT/G1: タッチドライバーIC
• ZT/G1/G2: 光学式手振補正
• ZT: 電源制御IC

スマートカード
スマートカードには、サービスプロバイダが要求するセキュリティ基準を満たすために、非常に高い品質と信頼性が求められる。当社の技術者は、GSM SIMカードやスマートカードのソリューション開発・製品化に長年携わってきた豊富な経験と知識を保持。G2は、コストと性能で優れているだけでなく、信頼性にも優れた高品質ソリューションである。

フラッシュ内蔵MCU
G1とG2は、MCU用途として、品質と信頼性がカギを握る自動車用途や産業用途に求められる高温動作をサポートし、コスト競争力向上にも効果的なソリューション。
G2のユニークさは「クイックスタート」や「ダイナミック・コンフィギュラブル・メモリ　アーキテクチャ」といった機能を可能にし、チップ設計の自由度を高めるとともに、汎用的なシステムチップの実現を可能にする。

• G1/G2: MCU Flash
• G2: クイックスタート
• G2: ダイナミックコンフィギュラブルアーキテクチャ

沿革

2011年　株式会社フローディア設立
2013年　LEE Flash-ZTおよびLEE Flash-G1のシリコン検証
2014年　Powerchip Technology CorporationにてLEE Flash-G1およびG2の移植開始
2015年　シリーズA資金調達(8億円)
2017年　シリーズB資金調達(16億円)。UMCにてLEE Flash-G2移植開始。

代表取締役社長CEO　奥山 幸祐

会長　長沢幸一

（同社Webサイトを基に当社編集）